【北洋微电讲堂第九期】基于三维扇出型晶圆级技术的大容量存储器制造

对于大多数电子设备而言,集成密度的提高来自不断减小的最小特征尺寸,因此更多功能集成在半导体芯片的片上系统(SoC)的不同区域中。半导体制造技术的发展始终遵循摩尔定律。然而,当集成电路的特征尺寸减小到10nm以下时,半导体制造正在接近硅工艺的极限。目前,布置在芯片中的常规存储器单元大多是平铺的(即,2D),并且非常容易受到该区域的大小的影响。三维数据存储单元技术已成为扩展存储容量的核心研究方向。 3D NAND闪存技术通过在硅晶片的表面上垂直叠加数十个或更多个电荷存储层来增加单个芯片的存储密度,从而在相同区域下提供更多的数据存储空间。然而,由于其关键工艺Deep Trench现有的蚀刻技术的局限性,当前的3D NAND闪存芯片制造在实现64层存储器单元堆叠时变得非常困难。在此技术背景下,本报告提出了一种基于三维扇出晶圆级技术的新型高容量存储器和高端存储器模块制造解决方案。 TR

时间:2018年7月21日(星期六)10:00

地点:教学楼26区D区212室 演讲者简介:
陆元,国家“千人计划”专家,中国科学院微电子研究所研究员,博士生导师。他目前是Silex Microsystems Technology(Beijing)Co.,Ltd。的首席技术官兼首席科学家 陆远获得博士学位。他于2006年在美国维也纳州立大学获得材料工程学士学位。自2012年2月起,他一直从事中国科学院微电子研究所的三维微电子集成研究。在回到中国之前,陆博士多年来在许多着名的半导体公司(通用汽车 - 德尔福,AVX,数字半导体,朗讯科技,倒装芯片国际,飞思卡尔半导体等)从事先进微电子集成技术的研究和开发。 。他曾担任研发工程师,高级研发工程师,研究员和研发经理。熟悉各种微电子集成技术,工艺流程,研发团队领导,项目管理,协调,研发战略规划等。特别是在过去的6年里,他一直从事先进的MEMS传感器制造,3D晶圆级集成,扇出晶圆级集成,超细间距IC互连,超高速光电器件的研发。 IC集成。作为首席科学家,项目负责人和次级项目负责人,他参与了多个国家科技重大项目(02个特殊项目)的研究和开发。在美国,欧洲和中国获得(并试用)50多项专利。