【北洋微电讲堂第十二期预告】Recent Advances in GaN HEMT Technology Reaearch At Peking University

报告时间:10月22日(星期一)下午13点: 30

报告地点:26-D-212和

题目:北京大学GaN HEMT技术研究的最新进展

演讲人:Cheng Paul(CP)Wen,IEEE终身研究员; 1963年至1974年,密歇根大学电气工程系博士.MTS在RCA实验室工作,开发出噪声最低的行波放大器;发明了代表第一种模式选择方案的电子激光彩色开关;演示了第一个SAW编码器/解码器;发明共面波导(CPW);负责开发p型硅毫米波IMPATT振荡器。从1974年到1982年,他是罗克韦尔国家部门的负责人。 1982年至1998年,他担任Hughes Aircraft/Raytheon Systems Co.的首席科学家和部门经理。开发了超高峰值功率(> 25W)W波段Si IMPATT振荡器,带领团队开发和制造InSb磁场传感器用于汽车应用的芯片(汽车火花塞定时控制的关键技术);突破性的基于CPW的倒装芯片微波技术;发明了具有内在功能的长波红外探测器事件判别能力;领先的团队开发了基于GaAs的MMIC技术。自2004年以来,他一直是北京大学微电子研究所的客座教授。研究工作有助于理解极性半导体异质结(GaN HEMT)的结构特性以及偏振感应电荷对如何影响III族氮化物半导体器件的性能。